Interfaz: PCIe Gen 4 x4 Capacidad: 512GB Velocidad de Lectura: Hasta 6320 MB/s Velocidad de Escritura: Hasta 3111 MB/s Factor de Forma: M.2 2280 Tecnología de Almacenamiento: 3D NAND Consumo de Energía: Máximo 3.1 W Durabilidad: 375 TBW (Total de Bytes Escritos) MTBF: 2,000,000 horas Temperatura de Funcionamiento: 0-70℃ Temperatura de Almacenamiento: -40°C a 85°C Peso: ≤7g
El SSD HIKSEMI FUTURE LITE 512GB ofrece un rendimiento excepcional con velocidades de lectura y escritura ultrarrápidas, ideal para gaming extremo y tareas intensivas. Su interfaz PCIe Gen 4 x4 maximiza la velocidad, mientras que la tecnología 3D NAND asegura durabilidad y fiabilidad. Con un bajo consumo de energía y una gestión térmica eficiente, este SSD es perfecto para mejorar el rendimiento de tu equipo.
